有機EL設備及其制造方法與流程

文檔序號:19792822發布日期:2020-01-24 14:40
有機EL設備及其制造方法與流程

本發明關于有機el設備(例如,有機el顯示裝置及有機el照明裝置)及其制造方法。



背景技術:

有機el(electroluminescence)顯示裝置已開始被實用化。有機el顯示裝置的特征的一個,可舉出可獲得柔性(flexible)的顯示裝置的點。有機el顯示裝置包含每像素至少一個的有機el元件(organiclightemittingdiode:oled)、和控制向各oled供給的電流的至少一個的tft(thinfilmtransistor)。以下,將有機el顯示裝置稱為oled顯示裝置。如此就每個oled包含tft等的切換(switching)元件的oled顯示裝置,被稱為有源矩陣型oled顯示裝置。又,已形成了tft及oled的基板被稱為元件基板。

oled(尤其是有機發光層及陰極電極材料),受到水分的影響而易于劣化,易于產生顯示不均。作為提供保護oled免于水分,并且不損及柔軟性的密封結構的技術,開發有薄膜密封(thinfilmencapsulation:tfe)技術。薄膜密封技術是無機屏障層(barrierlayer)和有機屏障層彼此積層,藉此欲以薄膜獲得足夠的水蒸氣屏障性。從oled顯示裝置的耐濕可靠性的觀點來看,作為薄膜密封結構的wvtr(watervaportransmissionrate:wvtr),典型而言追求1×10-4g/m2/day以下。

被使用于現在市售的oled顯示裝置的薄膜密封結構,包含厚度約5μm~約20μm的有機屏障層(高分子屏障層)。如此的比較厚的有機屏障層,擔任將元件基板的表面平坦化的角色。然而,會有若有機屏障層越厚,則越限制oled顯示裝置的彎曲性的問題。

另外,也會有量產性低的問題。上述的比較厚的有機屏障層,使用噴墨法、微型噴射法等的印刷技術而形成。另一方面,無機屏障層,使用薄膜成膜技術而在真空(例如,1pa以下)空氣而形成。使用了印刷技術的有機屏障層的形成,在大氣中或氮氣空氣中進行,無機屏障層的形成在真空中進行,因此在形成薄膜密封結構的過程,變成將元件基板從真空腔取出放入而量產性低。

還有,例如,如專利文獻1所揭示,開發有可將無機屏障層和有機屏障層連續制造的成膜裝置。

另外,在專利文獻2,公開有薄膜密封結構,所述薄膜密封結構在將第一無機材料層、第一樹脂材、以及第二無機材料層從元件基板側依照此順序形成時,使第一樹脂材偏置到第一無機材料層的凸部(被覆了凸部的第一無機材料層)的周圍。若根據專利文獻2,則使第一樹脂材偏置到恐有無法藉由第一無機材料層充分地被覆的風險的凸部的周圍,藉此抑制來自該部分的水分、氧氣的侵入。另外,第一樹脂材作為第二無機材料層的底層而發揮作用,藉此第二無機材料層可合適地成膜,且可將第一無機材料層的側面以期望的膜厚適當地被覆。第一樹脂材如以下般被形成。將已被加熱汽化的霧狀的有機材料,向已被維持在室溫以下的溫度的元件基板上供給,在基板上有機材料凝結、水滴狀化。已水滴狀化的有機材料,藉由毛細管現象或表面張力而在基板上移動,偏置在第一無機材料層的凸部的側面和基板表面的邊界部。其后,使有機材料固化,藉此在邊界部形成第一樹脂材。在專利文獻3公開有包含相同的薄膜密封結構的oled顯示裝置。另外,專利文獻4公開有被使用在oled顯示裝置的制造的成膜裝置。

專利文獻1:日本特開2013-186971號公報。

專利文獻2:國際公開公報第2014/196137號。

專利文獻3:日本特開2016-39120號公報。

專利文獻4:日本特開2013-64187號公報。

在專利文獻2或3所記載的薄膜密封結構,不包含厚的有機屏障層,因此可思及oled顯示裝置的彎曲性被改善。另外,可將無機屏障層和有機屏障層連續形成,因此量產性也被改善。

然而,根據本發明者的探討,若以專利文獻2或3所記載的方法形成有機屏障層,則會有產生無法獲得足夠的耐濕可靠性的問題的情形。

在使用噴墨法等的印刷法而形成有機屏障層的情況,有機屏障層能夠僅形成在元件基板上的有源區域(activeregion,也有被稱為“元件形成區域”或“顯示區域”的情形),不形成在有源區域以外的區域。因此,在有源區域的周邊(外側),存在第一無機材料層和第二無機材料層直接接觸的區域,有機屏障層藉由第一無機材料層和第二無機材料層而完全地被包圍,從周圍被隔絕。

相對于此,在專利文獻2或3所記載的有機屏障層的形成方法,樹脂(有機材料)被供給至元件基板的整面,利用液狀的樹脂的表面張力,使樹脂偏置到元件基板的表面的凸部的側面和基板表面的邊界部。因此,在有源區域外的區域(也有被稱為“周邊區域”的情形),即,配置多個端子的端子區域、以及形成從有源區域到達端子區域的拉出布線的拉出布線區域也會有形成有機屏障層的情形。具體而言,例如樹脂偏置到拉出布線及端子的側面和基板表面的邊界部。如此一來,沿著拉出布線形成的有機屏障層的部分的端部不藉由第一無機屏障層和第二無機屏障層包圍,而暴露于大氣(周邊空氣)。

有機屏障層與無機屏障層相比水蒸氣屏障性低,因此導致沿著拉出布線形成的有機屏障層成為將大氣中的水蒸氣引導向有源區域內的經過路徑。

在此,已說明合適地使用于柔性的有機el顯示裝置的薄膜密封結構的問題,但是薄膜密封結構不限于有機el顯示裝置,也被使用于有機el照明裝置等的其他的有機el設備。

本發明是為了解決上述的問題而成,其目的在于提供有機el設備及其制造方法,所述有機el設備包括改善了量產性以及耐濕可靠性的包含較薄的有機屏障層的薄膜密封結構。

本發明的實施方式的有機el設備,包含:基板;驅動電路層,包含形成于所述基板上的多個tft、分別與所述多個tft的任一個連接的多條柵極總線以及多條源極總線、多個端子、連接所述多個端子和所述多條柵極總線或所述多條源極總線的任一個的多條拉出布線;無機保護層,形成于所述驅動電路層上,至少露出所述多個端子;有機平坦化層,形成于所述無機保護層上;有機el元件層,形成于所述有機平坦化層上,包含分別與所述多個tft的任一個連接的多個有機el元件;薄膜密封結構,以覆蓋所述有機el元件層的方式形成,包含第一無機屏障層、與所述第一無機屏障層的上表面相接的有機屏障層、與所述有機屏障層的上表面相接的第二無機屏障層,所述有機屏障層形成在被由所述第一無機屏障層和所述第二無機屏障層直接接觸的無機屏障層接合部包圍的區域內;其中在從所述基板的法線方向看時,在形成了所述無機保護層的區域內,形成有所述有機平坦化層,在形成了所述有機平坦化層的區域內,配置有所述多個有機el元件,所述薄膜密封結構的外緣,與所述多條拉出布線交叉,且存在于所述有機平坦化層的外緣和所述無機保護層的外緣之間;在所述多條拉出布線之上所述無機保護層和所述第一無機屏障層直接接觸的部分中,所述第一無機屏障層的與所述多條拉出布線的線寬度方向平行的剖面的形狀中的側面的圓錐角(taperangle)未滿90°。所述第一無機屏障層的所述側面的所述圓錐角優選為未滿70°。

所述有機平坦化層,例如由具有感光性的樹脂形成。所述有機平坦化層,優選為由聚酰亞胺(polyimide)形成。

本發明的某實施方式的有機el設備的制造方法,包括:工序a,在所述基板上形成所述驅動電路層;工序b,在所述驅動電路基板上形成所述無機保護層;工序c,在所述無機保護層上形成所述有機平坦化層;工序d,將所述有機平坦化層加熱到200℃以上的溫度;以及工序e,在所述加熱工序之后,在所述有機平坦化層上形成所述有機el元件層。所述工序d,也可以是將所述有機平坦化層加熱到300℃以上的溫度的工序。

某實施方式的制造方法,還包括:在所述工序c之后,且在所述工序d之前,形成覆蓋所述有機平坦化層的正型的光致抗蝕劑膜(photoresistfilm)的工序c1、以及將所述光致抗蝕劑膜整面曝光后,進行顯像,藉此去除所述光致抗蝕劑膜的工序c2。在所述工序c1和所述工序c2之間,也可以還包括:保管或搬運形成了所述光致抗蝕劑膜的所述基板的工序。

某實施方式的制造方法,包含:工序f,在所述工序e之后,在形成了所述多個有機el元件的有源區域選擇性地形成所述第一無機屏障層;工序g,在所述工序f之后,將所述基板配置在腔室內,向所述腔室內供給蒸氣或霧狀的光固化性樹脂;工序h,是在所述第一無機屏障層上使光固化性樹脂凝結的工序,以在所述圓錐角未滿90°的所述第一無機屏障層的部分之上,不使所述光固化性樹脂存在的方式,使所述光固化性樹脂凝結;工序i,在所述工序h之后,對所述已被凝結的所述光固化性樹脂照射光,藉此形成由光固化樹脂構成的所述有機屏障層。

某實施方式的制造方法,包括:工序f,在所述工序e之后,在形成了所述多個有機el元件的有源區域選擇性地形成所述第一無機屏障層;工序g,在所述工序f之后,將所述基板配置在腔室內,向所述腔室內供給蒸氣或霧狀的光固化性樹脂;工序h,在所述第一無機屏障層上使所述光固化性樹脂凝結,形成液狀的膜;工序i,對所述光固化性樹脂的所述液狀的膜照射光,藉此形成光固化樹脂層;工序j,將所述光固化樹脂層部分地進行灰化(ashing),藉此形成所述有機屏障層。

根據本發明的實施方式,提供有機el顯示裝置及其制造方法,所述有機el顯示裝置包括改善了量產性及耐濕可靠性的包含較薄的有機屏障層的薄膜密封結構。

附圖說明

圖1(a)是本發明的實施方式的oled顯示裝置100的有源區域的示意性的部分剖面圖,圖1(b)是在oled3上形成的tfe結構10的部分剖面圖。

圖2是本發明的實施方式的oled顯示裝置100的示意性的俯視圖。

圖3(a)以及(b)是oled顯示裝置100的示意性的剖面圖,圖3(a)是沿著圖2中的3a-3a’線的剖面圖,圖3(b)是沿著圖2中的3b-3b’線的剖面圖,圖3(c)是表示各層的側面的圓錐角θ的剖面圖。

圖4(a)~(d)是oled顯示裝置100示意性的剖面圖,圖4(a)是沿著圖2中的4a-4a’線的剖面圖,圖4(b)是沿著圖2中的4b-4b’線的剖面圖,圖4(c)是沿著圖2中的4c-4c’線的剖面圖,圖4(d)是沿著圖2中的4d-4d’線的剖面圖。

圖5(a)以及(b)是與比較例的oled顯示裝置100b1以及100b2中的圖4(b)對應的示意性的剖面圖。

圖6是比較例的oled顯示裝置100c的示意性的俯視圖。

圖7(a)以及(b)是oled顯示裝置100c的示意性的剖面圖,圖7(a)是沿著圖6中的7a-7a’線的剖面圖,圖7(b)是沿著圖6中的7b-7b’線的剖面圖。

圖8(a)~(c)是oled顯示裝置100c的示意性的剖面圖,圖8(a)是沿著圖6中的8a-8a’線的剖面圖,圖8(b)是沿著圖6中的8b-8b’線的剖面圖,圖8(c)是沿著圖6中的8c-8c’線的剖面圖。

圖9(a)以及(b)是分別表示實施方式的oled顯示裝置可包含的tft的例子的示意性的剖面圖。

圖10(a)~(c)是實施方式的其他的oled顯示裝置的示意性的剖面,分別與圖4(b)~(d)對應。

圖11(a)以及(b)是示意性地表示成膜裝置200的構成的圖,圖11(a)是表示在第一無機屏障層上使光固化性樹脂凝結的工序中的成膜裝置200的狀態,圖11(b)是表示使光固化性樹脂固化的工序中的成膜裝置200的狀態。

具體實施方式

以下,參照附圖,說明本發明的實施方式的oled顯示裝置以及其制造方法。在以下,例示包含柔性基板的oled顯示裝置,但是本發明的實施方式不限于有機el顯示裝置,也可以是有機el照明裝置等的其他有機設備,不限于在以下例示的實施方式。

首先,參照圖1(a)以及(b),說明本發明的實施方式的oled顯示裝置100的基本的構成。圖1(a)是本發明的實施方式的oled顯示裝置100的有源區域的示意性的部分剖面圖,圖1(b)是在oled3上形成的tfe結構10的部分剖面圖。

oled顯示裝置100包含多個像素,每像素包含至少一個有機el元件(oled)。在此,為了簡單化,說明關于與一個oled對應的結構。

如圖1(a)所示般,oled顯示裝置100包含柔性基板(以下,有僅被稱為“基板”的情形)1、在基板1上形成的包含tft的電路(有被為“驅動電路”或“背板(backplane)電路”的情形)2、在電路2上形成的無機保護層2pa、在無機保護層2pa上形成的有機平坦化層2pb、在有機平坦化層2pb上形成的oled3、和在oled3上形成的tfe結構10。oled3例如為頂部發射(topemission)型。oled3的最上部,例如為上部電極或蓋層(折射率調整層)。有將排列有多個oled3的層稱為oled層3的情形。在tfe結構10之上配置有可選擇的偏光板4。此外,電路2和oled層3也可以共有一部分的構成要素。另外,例如,也可以在tfe結構10和偏光板4之間配置擔任觸控面板功能的層。也就是,oled顯示裝置100可被改變為附有on-cell型的觸控面板的顯示裝置。

基板1是例如厚度為15μm的聚酰亞胺膜。包含tft的電路2的厚度是例如4μm。無機保護層2pa例如為sinx層(500nm)/sio2層(100nm)(上層/下層)。無機保護層2pa另外例如為sio2層/sinx層/sio2層的三層的結構也可以,各層的厚度例如為200nm/300nm/100nm。有機平坦化層2pb是例如厚度為4μm的感光性丙烯酸樹脂層或感光性聚酰亞胺層。oled3的厚度是例如1μm。tfe結構的厚度是例如2.5μm以下。

圖1(b)是在oled3上形成的tfe結構10的部分剖面圖。在oled3的正上方形成有第一無機屏障層(例如sinx層)12,在第一無機屏障層12之上形成有有機屏障層(例如丙烯酸樹脂層)14,在有機屏障層14之上形成有第二無機屏障層(例如sinx層)16。

例如,第一無機屏障層12是例如厚度為1.5μm的sinx層,第二無機屏障層16是例如厚度為800nm的sinx層,有機屏障層14是例如厚度為未滿100nm的丙烯酸樹脂層。第一無機屏障層12及第二無機屏障層16的厚度分別獨立,為200nm以上、1500nm以下,有機屏障層14的厚度為50nm以上、未滿200nm。tfe結構10的厚度優選為400nm以上、未滿3μm,更優選為400nm以上、2.5μm以下。

tfe結構10以保護oled顯示裝置100的有源區域(參照圖2中的有源區域r1)的方式形成,至少在有源區域r1,如上述般,從靠近oled3的側依序包含有第一無機屏障層12、有機屏障層14以及第二無機屏障層16。此外,有機屏障層14并非作為覆蓋有源區域r1的整面的膜而存在,包含有開口部。有機屏障層14之內,除了開口部以外,實際存在有機膜的部分稱為“實心部”。有機屏障層14例如能夠使用專利文獻1或2所記載的方法、或后述的成膜裝置200而形成。

另外,“開口部”(也有被稱為“非實心部”的情形。),無需以實心部被包圍,包含缺口等,在開口部中,第一無機屏障層12和第二無機屏障層16直接接觸。在以下,將第一無機屏障層12和第二無機屏障層16直接接觸的部分稱為“無機屏障層接合部”。

以下,參照圖2及圖3,說明本發明的實施方式的oled顯示裝置100及其制造方法。

圖2表示本發明的實施方式的oled顯示裝置100的示意性的俯視圖。另外,參照圖3(a)~(c)以及圖4(a)~(d),說明oled顯示裝置100的剖面結構。圖3(a)以及(b)是oled顯示裝置100的示意性的剖面圖,圖3(a)是沿著圖2中的3a-3a’線的剖面圖,圖3(b)是沿著圖2中的3b-3b’線的剖面圖。圖3(c)是表示各層的側面的圓錐角θ的剖面圖。圖4(a)~(d)是oled顯示裝置100示意性的剖面圖,圖4(a)是沿著圖2中的4a-4a’線的剖面圖,圖4(b)是沿著圖2中的4b-4b’線的剖面圖,圖4(c)是沿著圖2中的4c-4c’線的剖面圖,圖4(d)是沿著圖2中的4d-4d’線的剖面圖。

首先,參照圖2。形成在基板1上的電路2,包含有多個tft(不圖示)、和分別與多個tft(不圖示)的任一個連接的多個柵極總線(不圖示)以及多個源極總線(不圖示)。電路2也可以是用于驅動多個oled3的公知的電路。多個oled3與電路2所包含的多個tft的任一個連接。oled3也可以是公知的oled。

電路2進一步包含在配置有多個oled3的有源區域(以圖2中的虛線所包圍的區域)r1的外側的周邊區域r2配置的多個端子34、和多個端子34與多條柵極總線或多條源極總線的任一個連接的多條拉出布線32。會有將包含多個tft、多條柵極總線、多條源極總線、多條拉出布線32以及多個端子34的電路2整體稱為驅動電路層2的情形。另外,在驅動電路層2之內,將形成在有源區域r1之內的部分標示為驅動電路層2a。

此外,在圖2等中,作為驅動電路層2的構成要素,會有僅圖示拉出布線32及/或端子34的情形,但是驅動電路層2不僅包含有包含拉出布線32以及端子34的導電層,還包含有一個以上的導電層、一個以上的絕緣層以及一個以上的半導體層。驅動電路層2所包含的導電層、絕緣層、半導體層的構成,例如藉由之后的圖9(a)以及(b)所例示的tft的構成而可變化。另外,在基板1上,作為驅動電路層2的底膜,也可以形成絕緣膜(底涂層,basecoat)。

從基板1的法線方向看時,在形成了無機保護層2pa的區域內,形成有有機平坦化層2pb,在形成了有機平坦化層2pb的區域內,配置有有源區域r1(2a、3)。薄膜密封結構10的外緣,與多條拉出布線32交叉,且存在于有機平坦化層2pb的外緣和無機保護層2pa的外緣之間。因此,有機平坦化層2pb與oled層3一起被由無機保護層2pa和第一無機屏障層12直接接觸的接合部包圍(參照圖3(b)及圖4(b))。無機保護層2pa以露出至少多個端子34的方式形成。一旦以覆蓋端子34的方式形成了無機保護膜后,也可以以光刻制程(photolithographyprocess)形成包含使端子34露出的開口部的無機保護層2pa。

無機保護層2pa保護驅動電路層2。有機平坦化層2pb將形成oled層3的底的表面平坦化。有機平坦化層2pb與有機屏障層14相同地,相較于無機保護層2pa、無機屏障層12、16,水蒸氣屏障性低。因此,如圖6~圖8所示的比較例的oled顯示裝置100c的有機平坦化層2pbc般,若其一部分被曝曬于大氣(周邊空氣),則從此吸收水分。其結果,導致有機平坦化層2pbc成為將大氣中的水蒸氣引導向有源區域r1內的經過路徑。如上述般,在實施方式的oled顯示裝置100中,有機平坦化層2pb被由無機保護層2pa和第一無機屏障層12直接接觸的接合部包圍,因此水分從有機平坦化層2pb被引導至有源區域r1內的事態被防止。

有機平坦化層2pb優選為從具有感光性的樹脂被形成。有機平坦化層2pb使用各種的涂布法、印刷法而被形成。另外,若具有感光性,則能夠以光刻制程僅在既定的區域容易地形成有機平坦化層2pb。感光性樹脂,不論是正型、負型都可以。能夠合適地使用具有感光性的丙烯酸樹脂(acrylicresin)、聚酰亞胺樹脂。當然,若使用另外的光致抗蝕劑,則能夠使用不具有感光性的樹脂而形成有機平坦化層2pb。

為了在有機平坦化層2pb上,在形成oled層3之前,去除有機平坦化層2pb所包含的水分,優選為進行加熱(烘烤)。加熱溫度例如優選為200℃以上(例如1小時以上),更優選為300℃以上(例如15分鐘以上)??諝鉃榇髿鈮毫涂梢?。以在此加熱(烘烤)工序中不產生熱劣化的方式,優選為耐熱性高的樹脂材料,例如,優選為聚酰亞胺。

此外,會有形成了有機平坦化層2pb后,到形成oled層3為止,元件基板被保管或搬運的情形。也就是,制作了形成了驅動電路層2、無機保護層2pa以及有機平坦化層2pb的元件基板后,到形成oled層3為止,會有時間空出(例如,1天以上涵蓋數天而保管)、或者移動到另外的工廠的情形。此期間,作為防止有機平坦化層2pb的表面被污染、或者在移動的時候塵埃附著的方法,例如也可以形成覆蓋有機平坦化層2pb的正型的光致抗蝕劑膜。此光致抗蝕劑膜,優選為賦予光致抗蝕劑溶液后,藉由進行預先烘烤(去除溶劑的揮發:例如在約90℃以上且約110℃以下的溫度范圍,約5分鐘~約30分鐘程度的加熱)而形成。保管、移動之后,在形成oled層3之前,藉由去除光致抗蝕劑膜,而能夠獲得有機平坦化層2pb的清凈的表面。光致抗蝕劑膜的去除,優選為已將光致抗蝕劑膜的整面曝光后,不進行通常的后烘烤,進行顯像。作為形成正型的光致抗蝕劑膜的材料,例如,為能夠合適地使用正型光致抗蝕劑的東京應化股份有限公司制的制品名ofpr-800。

接著,參照圖3(a)~(c)及圖4(a)~(d),進一步地詳細的說明oled顯示裝置100的剖面結構。

如圖3(a)、(b)及圖4(a)、(b)所示般,tfe結構10包含有形成在oled3上的第一無機屏障層12、與第一無機屏障層12相接的有機屏障層14、與有機屏障層14相接的第二無機屏障層16。第一無機屏障層12以及第二無機屏障層16,例如,為sinx層,以使用了掩模的等離子體cvd法,以覆蓋有源區域r1的方式僅在既定的區域選擇性地形成。

有機屏障層14例如能夠由上述專利文獻2或3所記載的方法形成。例如,在腔室內,將蒸氣或霧狀的有機材料(例如丙烯酸單體(acrylicmonomer))供給到已被維持在室溫以下的溫度的元件基板上,并在元件基板上凝結,藉由成了液狀的有機材料的毛細管現象或表面張力,而偏置在第一無機屏障層12的凸部的側面和平坦狀部的邊界部。其后,對有機材料例如照射紫外線,藉此在凸部的周邊的邊界部形成有機屏障層(例如丙烯酸樹脂層)14的實心部。藉由此方法而形成的有機屏障層14,在平坦部實質上不存在實心部。關于有機屏障層的形成方法,將專利文獻2以及3的公開內容用于參考而援用于本說明書。

有機屏障層14另外,也能夠藉由調整使用成膜裝置200而形成的樹脂層的最初的厚度(例如,設為未滿100nm)、及/或將已一旦形成的樹脂層進行灰化處理而形成?;一幹?,如后述般,例如,可藉由使用了n2o、o2以及o3之內的至少一種氣體的等離子體灰化而進行。

圖3(a)是沿著圖2中的3a-3a’線的剖面圖,表示包含粒子p的部分。粒子p是在oled顯示裝置的制造制程中產生的微細的雜質,例如,是玻璃的微細的碎片、金屬的粒子、有機物的粒子。若使用掩模蒸鍍法,則尤其易于產生粒子。

如圖3(a)所示,有機屏障層(實心部)14,可僅在粒子p的周邊形成。這是因為,在形成了第一無機屏障層12后已被賦予的丙烯酸單體在粒子p上的第一無機屏障層12a的表面(圓錐角θ為90°以上)的周邊被凝結并偏置。第一無機屏障層12的平坦部上,成為有機屏障層14的開口部(非實心部)。

若存在粒子(例如直徑為約1μm以上)p,則會有在第一無機屏障層12形成裂縫(缺口)12c的情形。這被認為是因為從粒子p的表面成長的sinx層12a、和從oled3的表面的平坦部分成長的sinx層12b沖突(撞擊,impinge)而產生。若存在如此的裂縫12c,則tfe結構10的屏障性降低。

在oled顯示裝置100的tfe結構10,如圖3(a)所示,有機屏障層14以填充第一無機屏障層12的裂縫12c的方式形成,且有機屏障層14的表面,將粒子p上的第一無機屏障層12a的表面、和oled3的平坦部上的第一無機屏障層12b的表面連續性且平滑地連結。因此,缺陷不會形成在粒子p上的第一無機屏障層12以及被形成在有機屏障層14上的第二無機屏障層16,而形成致密的膜。如此一來,藉由有機屏障層14,即使存在粒子p,也能夠保持tfe結構10的屏障性。

接著,參照圖3(b)以及圖4(a)~(d),說明拉出布線32以及端子34上的剖面結構。

如圖3(b)所示般,以在基板1上拉出布線32以及端子34一體地形成,露出端子34的方式,在拉出布線32上形成有無機保護層2pa。在無機保護層2pa上形成有有機平坦化層2pb,在有機平坦化層2pb上,形成有oled層3。tfe結構10,以覆蓋oled層3以及有機平坦化層2pb的方式被形成,oled層3以及有機平坦化層2pb被由無機保護層2pa和第一無機屏障層12直接接觸的接合部包圍。此外,tfe結構10的第一無機屏障層12和第二無機屏障層16之間的有機屏障層(實心部)14,僅在粒子等的凸部的周圍形成,因此在此未被圖示。有機屏障層(實心部)14被由第一無機屏障層12和第二無機屏障層16直接接觸的無機屏障層接合部包圍。

如圖4(a)所示,靠近有源區域r1的區域(沿著圖2中的4a-4a’線的剖面)中,在拉出布線32上,形成有無機保護層2pa、有機平坦化層2pa以及tfe結構10。

如圖4(b)所示,在沿著圖2中的4b-4b’線的剖面中,無機保護層2pa和第一無機屏障層12直接接觸,有機平坦化層2pb被由無機保護層2pa和第一無機屏障層12直接接觸的接合部包圍(參照圖2、圖3(b))。

如圖4(c)所示,在靠近端子34的區域中,在拉出布線32上僅形成有無機保護層2pa。

如圖4(d)所示,端子34也從無機保護層2pa露出,被使用于與外部的電路(例如,fpc(flexibleprintedcircuits))的電連接。

包含圖4(b)~(d)所示的區域,未覆蓋有機平坦化層2pb,因此在形成tfe結構10的有機屏障層14的過程,有機屏障層(實心部)可被形成。例如,若與拉出布線32的線寬度方向平行的剖面形狀中的側面包含90°以上的圓錐角θ,則沿著拉出布線32的側面可形成有機屏障層。然而,如圖4(b)~(d)所示,實施方式的oled顯示裝置100,至少在這些的區域中,拉出布線32以及端子34的剖面形狀中的側面的圓錐角θ設為未滿90°,不會有光固化性樹脂偏置的情形。因此,不會有沿著拉出布線32及端子34的側面形成有機屏障層(實心部)的情形。

在此,參照圖3(c),說明各層的側面的圓錐角θ。圖3(c)是表示各層的側面的圓錐角θ的剖面圖,例如,與圖(b)所示的剖面圖對應。如圖3(c)所示,將與拉出布線32的寬度方向平行的剖面形狀中的側面的圓錐角θ表示為θ(32),與其他層的側面的圓錐角θ相同地,成為以θ(構成要素的參照附圖標記)表示。

如此一來,在拉出布線32之上形成的無機保護層2pa,在無機保護層2pa之上形成的tfe結構10的第一無機屏障層12以及第二無機屏障層16的各圓錐角θ,滿足θ(32)≧θ(2pa)≧θ(12)≧θ(16)的關系。因此,若是拉出布線32的側面的圓錐角θ(32)未滿90°,則無機保護層2pa的側面的圓錐角θ(2pa)以及第一無機屏障層12的側面的圓錐角θ(12)也成為未滿90°。

若側面的圓錐角θ為90°以上,則在專利文獻2或3所記載的有機屏障層的形成方法,成為沿著側面和平坦的表面的邊界(成為90°以下的角),蒸氣或霧狀的有機材料(例如丙烯酸單體)凝結,且形成有機屏障層(實心部)。如此一來,例如,導致沿著拉出布線形成的有機屏障層(實心部)成為將大氣中的水蒸氣引導向有源區域內的經過路徑。

例如,如圖5(a)的比較例的oled顯示裝置100b1中的與圖4(b)對應的示意性的剖面圖所示,若拉出布線32b1的側面圓錐角θ(32b1)以及第一無機屏障層12b1的側面圓錐角θ(12b1)為90°以上,則沿著tfe結構10b1的第一無機屏障層12b1的側面,在第一無機屏障層12b1和第二無機屏障層16b1之間形成有機屏障層(實心部)14b1。此外,oled顯示裝置100b1,例如,也可以是將省略實施方式的oled顯示裝置100中的無機保護層pa,且將拉出布線32的側面圓錐角θ(32)以及第一無機屏障層12的側面圓錐角θ(12)改變為90°以上。

另外,如圖5(b)的比較例的oled顯示裝置100b2中的與圖4(b)對應的示意性的剖面圖所示,若拉出布線32b2、無機保護層2pab2以及第一無機屏障層12b2的側面圓錐角θ(32b2)、θ(2pab2)以及θ(12b1)為90°以上,則沿著tfe結構10b2的第一無機屏障層12b2的側面,在第一無機屏障層12b2和第二無機屏障層16b2之間形成有機屏障層(實心部)14b2。此外,oled顯示裝置100b2,例如,也可以是將實施方式的oled顯示裝置100中的拉出布線32的側面圓錐角θ(32)以及第一無機屏障層12的側面圓錐角θ(12)改變為90°以上。

oled顯示裝置100b2與oled顯示裝置100b1不同,包含有無機保護層2pab2,因此第一無機屏障層12b2的側面圓錐角θ(12b2),容易成為小于oled顯示裝置100b1的第一無機屏障層12b1的側面圓錐角θ(12b1)。

圖4(b)~(d)所示的本發明的實施方式的oled顯示裝置100中的拉出布線32、無機保護層2pa以及第一無機屏障層12的側面的圓錐角θ(32)、θ(2pa)以及θ(12)任一個都是未滿90°,不會有沿著這些的側面形成有機屏障層14的情形。因此,不會有經由有機屏障層(實心部)14而大氣中的水分到達有源區域r1內的情形,可具有優異的耐濕可靠性。在此,表示圓錐角θ(32)、θ(2pa)以及θ(12)任一個都是未滿90°的例子,但是不限于此,若至少構成有機屏障層14的正下方的表面的第一無機屏障層12的側面的圓錐角θ(12)未滿90°,則圖4(b)所示的積層結構(無機保護層2pa和第一無機屏障層12直接接觸的部分(有機平坦化層2pa不存在)、以及第一無機屏障層12和第二無機屏障層16直接接觸的部分(有機屏障層14不存在)形成,因此能夠抑制/防止大氣中的水分經由有機平坦化層2pa或有機屏障層14而侵入到有源區域r1內。另外,藉由包含無機保護層2pa,能夠降低第一無機屏障層12的圓錐角θ(12),因此即使拉出布線32的圓錐角θ(32)較大(例如90°),第一無機屏障層12的圓錐角θ(12)能夠設為未滿90°。也就是,能夠將拉出布線32的圓錐角θ(32)設為90°或接近90°,因此能夠獲得可將拉出布線32的l/s變小的優點。

此外,在側面的圓錐角θ為70°以上且未滿90°的范圍,會有沿著側面形成有機屏障層(實心部)14的情形。當然,若進行灰化處理,則能夠沿著傾斜的側面去除已偏置的樹脂,但是在灰化處理所需的時間變長。例如,去除了在平坦的表面上形成的樹脂后,也需要長時間的灰化處理?;蛘?,在粒子p的周邊形成的有機屏障層(實心部)被過度地灰化(去除)的結果,會有產生形成有機屏障層的效果不被充分地發揮的問題的情形。為了抑制/防止此事態,第一無機屏障層12的圓錐角θ(12)優選為未滿70°,更優選為未滿60°。

接著,參照圖6至圖8,說明比較例的oled顯示裝置100c的結構。圖6表示oled顯示裝置100c的示意性的俯視圖。圖7(a)以及(b)是oled顯示裝置100c的示意性的剖面圖,圖7(a)是沿著圖6中的7a-7a’線的剖面圖,圖7(b)是沿著圖6中的7b-7b’線的剖面圖。圖8(a)~(c)是oled顯示裝置100c的示意性的剖面圖,圖8(a)是沿著圖6中的8a-8a’線的剖面圖,圖8(b)是沿著圖6中的8b-8b’線的剖面圖,圖8(c)是沿著圖6中的8c-8c’線的剖面圖。

oled顯示裝置100c在不包含無機保護層2pa的點、以及有機平坦化層2pbc被延伸設置到不被tfe結構10覆蓋的區域為止的點,與實施方式的oled顯示裝置100不同。此外,對與oled顯示裝置100所包含的構成要素實質相同的構成要素,附加相同的參照的附圖標記,并省略說明。

例如,如從圖6、圖7(b)及圖8(b)所明白般,有機平坦化層2pbc的一部分被暴露在大氣(周邊空氣)。如此一來,導致有機平坦化層2pbc從被暴露在大氣的部分吸收水分,且成為將大氣中的水蒸氣引導向有源區域r1內的經過路徑。相對于此,實施方式的oled顯示裝置100,如圖3(b)以及圖4(b)所示,有機平坦化層2pb與oled層3一起被由無機保護層2pa和第一無機屏障層12直接接觸的接合部包圍。因此,能夠解決比較例的oled顯示裝置100c所具有的上述的問題。

接著,參照圖9及圖10,說明被使用于oled顯示裝置100的tft的例子、和使用制作tft時的柵極金屬層以及源極金屬層而形成的拉出布線以及端子的例子。在以下說明的,tft、拉出布線以及端子的結構,能夠使用在上述的實施方式的oled顯示裝置100。

在高精細的中小型用的oled顯示裝置,可合適地使用移動度高的低溫多晶硅(簡稱為“ltps”。)tft或氧化物tft(例如,包含in(銦)、ga(鎵)、zn(鋅)、o(氧)的四元系(in-ga-zn-o系)氧化物tft)。由于ltps-tft以及in-ga-zn-o系的tft的結構以及制造方法廣為人知,因此在以下保留簡單的說明。

圖9(a)是ltps-tft2pt的示意性的剖面圖,tft2pt可被包含于oled顯示裝置100的電路2。ltps-tft2pt是頂柵型的tft。

tft2pt形成在基板(例如,聚酰亞胺膜)1上的底涂層2pp上。在上述的說明已省略,優選為在基板1上形成以無機絕緣體已被形成的底涂層。

tft2pt包含形成在底涂層2pp上的多晶硅(polysilicon)層2pse、形成在多晶硅層2pse上的柵極絕緣層2pgi、形成在柵極絕緣層2pgi上的柵極電極2pg、形成在柵極電極2pg上的層間絕緣層2pi、和形成在層間絕緣層2pi上的源極電極2pss以及漏極電極2psd。源極電極2pss以及漏極電極2psd,在形成在層間絕緣層2pi以及柵極絕緣層2pgi的接觸孔內,分別與多晶硅層2pse的源極區域以及漏極區域連接。

柵極電極2pg被包含于與柵極總線相同的柵極金屬層,源極電極2pss以及漏極電極2psd被包含于與源極總線相同的源極金屬層。使用柵極金屬層以及源極金屬層,拉出布線以及端子被形成(參照圖10而后述)。

tft2pt,例如,如以下般地被制作。

作為基板1,例如,準備厚度15μm的聚酰亞胺膜。

將底涂層2pp(sio2膜:250nm/sinx膜:50nm/sio2膜:500nm(上層/中間層/下層))以及a-si膜(40nm)以等離子體化學氣相沉積法進行成膜。

進行a-si膜的去氫處理(例如450℃,180分鐘退火(anneal))。

將a-si膜以準分子雷射退火(excimer-laserannealing、ela)法多晶硅化。

以光刻工序將a-si膜圖案化,藉此形成活性層(半導體島)。

將柵極絕緣膜(sio2膜:50nm)以等離子體化學氣相沉積法進行成膜。

在活性層的通道區域進行摻雜(doping)(b+)。

將柵極金屬(mo:250nm)以濺鍍(sputter)法進行成膜,以光刻工序(包含干式刻蝕工序)圖案化(形成柵極電極2pg以及柵極總線等)。

在活性層的源極區域以及漏極區域進行摻雜(p+)。

進行活性化退火(例如,450℃,45分鐘退火)。如此一來,可獲得多晶硅層2pse。

將層間絕緣膜(sio2膜:300nm/sinx膜:300nm(上層/下層))以等離子體化學氣相沉積法進行成膜。

在柵極絕緣膜以及層間絕緣膜以干式蝕刻形成接觸孔。如此一來,可獲得層間絕緣膜2pi以及柵極絕緣膜2pgi。

將源極金屬(ti膜:100nm/al膜:300nm/ti膜:30nm)以濺鍍法進行成膜,以光刻工序(包含干式刻蝕工序)圖案化(形成源極電極2pss、漏極電極2psd以及源極總線等)。

其后,形成上述的無機保護層2pa(參照圖2以及圖3)。

圖9(b)是in-ga-zn-o系tf2ot的示意性的剖面圖,tft2ot可被包含于oled顯示裝置100a的電路2。tft2ot是底柵型的tft。

tft2ot形成在基板(例如,聚酰亞胺膜)1上的底涂層2op上。tft2ot包含形成在底涂層2op上的柵極電極2og、形成在柵極電極2og上的柵極絕緣層2ogi、形成在柵極絕緣層2ogi上的氧化物半導體層2ose、在氧化物半導體層2ose的源極區域上以及漏極區域上分別連接的源極電極2oss以及漏極電極2osd。源極電極2oss以及漏極電極2osd,被層間絕緣層2oi覆蓋。

柵極電極2og被包含于與柵極總線相同的柵極金屬層,源極電極2oss以及漏極電極2osd被包含于與源極總線相同的源極金屬層。使用柵極金屬層以及源極金屬層,拉出布線以及端子被形成,參照圖10而可包含后述的結構。

tft2ot,例如,如以下般地被制作。

作為基板1,例如,準備厚度15μm的聚酰亞胺膜。

將底涂層2op(sio2膜:250nm/sinx膜:50nm/sio2膜:500nm(上層/中間層/下層))以等離子體化學氣相沉積法進行成膜。

將柵極金屬(cu膜:300nm/ti膜:30nm(上層/下層))以濺鍍法進行成膜,以光刻工序(包含干式刻蝕工序)圖案化(形成柵極電極2og以及柵極總線等)。

將柵極絕緣膜(sio2膜:30nm/sinx膜:350nm(上層/下層))以等離子體化學氣相沉積法進行成膜。

將氧化物半導體膜(in-ga-zn-o系半導體膜:100nm)以濺鍍法進行成膜,以光刻工序(包含干式刻蝕工序)圖案化,藉此形成活性層(半導體島)。

將源極金屬(ti膜:100nm/al膜:300nm/ti膜:30nm(上層/中間層/下層))以濺鍍法進行成膜,以光刻工序(包含干式刻蝕工序)圖案化(形成源極電極2oss、漏極電極2psd以及源極總線等)。

進行活性化退火(例如,300℃,120分鐘退火)。如此一來,可獲得氧化物半導體層2ose。

其后,作為保護膜,將層間絕緣膜2oi(例如,sinx膜:300nm/sio2膜:300nm(上層/下層))以等離子體化學氣相沉積法進行成膜。此層間絕緣膜2oi,能夠兼作為上述的無機保護層2pa(參照圖2以及圖3)。當然,在層間絕緣膜2oi之上,也可以進而形成無機保護層2pa。

接著,參照圖10(a)~(c),說明實施方式的其他的oled顯示裝置的結構。此oled顯示裝置的電路(背板)2,包含圖9(a)所示的tft2pt或圖9(b)所示的tft2ot,使用制作tft2pt或tft2ot時的柵極金屬層以及源極金屬層而形成拉出布線32a以及端子34a。圖10(a)~(c)分別與圖4(b)~(d)對應,在對應的構成要素的參照的附圖標記附加“a”。另外,圖10中的底涂層2p,與圖9(a)中的底涂層2pp以及圖9(b)中的底涂層2op對應,圖10中的柵極絕緣層2gi,與圖9(a)中的柵極絕緣層2pgi以及圖9(b)中的柵極絕緣層2ogi對應,圖10中的層間絕緣層2i,與圖9(a)中的層間絕緣層2pi以及圖9(b)中的層間絕緣層2oi對應。

如圖10(a)~(c)所示,柵極金屬層2g以及源極金屬層2s,在已形成在基板1上的底涂層2p上被形成。在圖3以及圖4已省略,但是優選為在基板1上形成以無機絕緣體形成的底涂層2p。

如圖10(a)~(c)所示,拉出布線32a以及端子34a,作為柵極金屬層2g和源極金屬層2s的積層體而形成。拉出布線32a以及端子34a的以柵極金屬層2g形成的部分,例如具有與柵極總線相同的剖面形狀,拉出布線32a以及端子34a的以源極金屬層2s形成的部分,例如具有與源極總線相同的剖面形狀。例如,在500ppi的5.7型的顯示裝置的情況,以柵極金屬層2g形成的部分的線寬度例如為10μm,相鄰間距離為16μm(l/s=10/16),以源極金屬層2s形成的部分的線寬度例如為16μm,相鄰間距離為10μm(l/s=16/10)。圓錐角θ是都未滿90°,優選為未滿70°,更優選為60°以下。此外,在有機平坦化層pb之下形成的部分的圓錐角為90°以上也可以。

接著,參照圖11(a)以及(b),說明使用于有機屏障層的形成的成膜裝置200以及已使用這個的成膜方法。圖11(a)以及(b)是示意性地表示成膜裝置200的構成的圖,圖11(a)是表示在包含蒸氣或霧狀的光固化性樹脂的腔室內,在第一無機屏障層上使光固化性樹脂凝結的工序中的成膜裝置200的狀態,圖11(b)是表示照射光固化性樹脂進行感光性的光,使光固化性樹脂固化的工序中的成膜裝置200的狀態。

成膜裝置200包含腔室210、和將腔室210的內部分割成兩個空間的分隔壁234。在以腔室210的內部中的分隔壁234分隔的一方的空間,配置有載臺212、和淋浴板(showerplate)220。在以分隔壁234分隔的另一方的空間,配置有紫外線照射裝置230。腔室210,將其內部的空間控制成既定的壓力(真空度)以及溫度。載臺212包含上表面,所述上表面容納包含多個已形成第一無機屏障層的oled3的元件基板20,能夠將上表面冷卻到例如-20℃為止。

淋浴板220在與分隔壁234之間,以形成間隙部224的方式配置,包含多個的貫通孔222。間隙部224的鉛直方向尺寸,例如可為100mm以上、1000mm以下。被供給至間隙部224的丙烯酸單體(蒸氣或霧狀),從淋浴板220的多個的貫通孔222,被供給至腔室210內的載臺212側的空間。根據需求丙烯酸單體被加熱。蒸氣或霧狀的丙烯酸單體26p,附著或接觸到元件基板20的第一無機屏障層。丙烯酸單體26,從容器202以既定的流量被供給至腔室210內。向容器202,經由配管206供給丙烯酸單體26,并且從配管204供給氮氣。向容器202的丙烯酸單體的流量,藉由質量流量控制器(massflowcontroller)208被控制。藉由淋浴板220、容器202、配管204、206以及質量流量控制器208等原料供給裝置被構成。

紫外線照射裝置230包含有紫外線光源和可選擇的光學元件。紫外線光源,例如,也可以是紫外線燈(例如,水銀燈(包含高壓、超高壓),汞氙弧燈(mercuryxenonlamp)或金屬鹵化物燈(metalhalidelamp))。光學元件,例如,是反射鏡,棱鏡、透鏡以及衍射元件(diffractionelement)。

在紫外線照射裝置230配置于既定的位置時,具有既定的波長以及強度的光朝向載臺212的上表面出射。分隔壁234以及淋浴板220,優選為紫外線的透射率高的材料,例如以石英形成。

使用成膜裝置200,能夠將有機屏障層14例如如以下般而形成。在此,說明作為光固化性樹脂而使用丙烯酸單體的例子。

在腔室210內,供給丙烯酸單體26p。元件基板20在載臺212上,例如被冷卻到-15℃。丙烯酸單體26p在元件基板20的第一無機屏障層12上被凝結??刂拼藭r的條件,藉此能夠僅在第一無機屏障層12包含的凸部的周圍使液狀的丙烯酸單體偏置。又或者,以已在第一無機屏障層12上被凝結的丙烯酸單體形成液膜的方式控制條件。

調整液狀的光固化樹脂的粘度以及/或表面張力,藉此能夠控制液膜的厚度、與第一無機屏障層12的凸部相接的部分的形狀(凹形狀)。例如,粘度以及表面張力,依賴于溫度,因此調節元件基板的溫度,藉此能夠控制。例如,存在于平坦部上的實心部的大小,與液膜的第一無機屏障層12d的凸部相接的部分的形狀(凹形狀)以及在之后進行的灰化處理的條件,藉此可被控制。

接著,使用紫外線照射裝置230u,典型上來說,照射紫外線232至元件基板20的上表面的整體,藉此使第一無機屏障層12上的丙烯酸單體固化。作為紫外線光源,例如,使用在365nm具主峰的高壓水銀燈,作為紫外線光源,例如,以12mw/cm2,照射約10秒。

由丙烯酸樹脂構成的有機屏障層14如此地被形成。此有機屏障層14的形成工序的作業時間(tacttime),例如,是未滿約30秒,量產性非常高。

固化了液膜狀的光固化性樹脂后,經過灰化處理,也可以僅在凸部的周圍形成有機屏障層14。此外,也在將已偏置的光固化性樹脂固化,藉此形成有機屏障層14時,也可以施加灰化處理。藉由灰化處理,能夠使有機屏障層14和第二無機屏障層16的粘接性提升。也就是,灰化處理,不僅為了去除已一旦形成的有機屏障層的多余的部分,也可用于將有機屏障層14的表面改質(親水化)。

灰化可使用公知的等離子體灰化裝置、光激發灰化裝置、uv臭氧灰化裝置而進行。例如,使用了n2o、o2及o3內的至少一種氣體的等離子體灰化、或可對這些進一步與紫外線照射組合而進行。在作為第一無機屏障層12以及第二無機屏障層16,將sinx膜以化學氣相沉積法進行成膜的情況,做為原料氣體使用n2o,因此若將n2o使用于灰化,則可獲得能夠將裝置簡略化的優點。

若進行灰化,則有機屏障層14的表面被氧化,被改質為親水性。另外,有機屏障層14的表面幾乎被均勻地切削,并且被形成極微細的凹凸,表面積增大。在進行了灰化時的表面積增大效果,相較于相對于無機材料也就是第一無機屏障層12,相對于有機屏障層14的表面的一方較大。因此,有機屏障層14的表面被改質為親水性、和表面積增大,因此使與第二無機屏障層16的密合性被提升。

其后,搬運到用于形成第二無機屏障層16的化學氣相沉積腔室,例如,以與第一無機屏障層12相同的條件,形成第二無機屏障層16。第二無機屏障層16形成在形成了第一無機屏障層12的區域,因此在有機屏障層14的非實心部,第一無機屏障層12和第二無機屏障層16直接接觸的無機屏障層接合部被形成。因此,如上述,抑制/防止經由有機屏障層大氣中的水蒸氣到達到有源區域內的事態。

此外,第一無機屏障層12以及第二無機屏障層16,例如,如以下般而被形成。在使用了sih4以及n2o氣體的等離子體化學氣相沉積法,例如,在將成膜對象的基板(oled3)的溫度控制在80℃以下的狀態,能夠以400nm/min的成膜速度,形成厚度400nm的無機屏障層。如此所獲得的無機屏障層的折射率是1.84,400nm的可見光的透射率是90%(厚度400nm)。另外,膜應力的絕對值是50mpa。

此外,作為無機屏障層,除了sinx層以外,也能夠使用sio2層、sioxny(x>y)層、sinxoy(x>y)層、al2o3層等。光固化性樹脂,例如,包含含有乙烯基的單體。在其中,丙烯酸單體被合適地使用。根據需求,光聚合引發劑可被混合到丙烯酸單體。能夠使用公知的各種的丙烯酸單體。也可以混合多個丙烯酸單體。例如,混合2官能單體和3官能以上的多官能單體也可以。另外,也可以混合低聚物(oligomer)。光硬化性樹脂的硬化前的室溫(例如25℃)的粘度,優選為不超過10pa·s,尤其是優選為1~100mpa·s。若粘度高,則會有難以形成厚度為500nm以下的薄的液膜的情形。

在上述,已說明包含柔性基板的oled顯示裝置以及其制造方法的實施方式,但是本發明的實施方式不限于已例示者,能夠廣泛地適用在包含形成在不具有柔軟性的基板(例如玻璃基板)的有機el元件、和形成在有機el元件上的薄膜密封結構的有機el設備(例如,有機el照明裝置)。

產業上的可利用性

本發明的實施方式,被使用在有機el設備及其制造方法。本發明的實施方式,尤其是被合適地使用在柔性的有機el顯示裝置及其制造方法。

附圖標記的說明

1柔性基板

2背板(電路)

3有機el元件

4偏光板

10薄膜密封結構(tfe結構)

12第一無機屏障層(sinx層)

14有機屏障層(丙烯樹脂層)

16第二無機屏障層(sinx層)

20元件基板

26丙烯酸單體

26p丙烯酸單體的蒸氣或霧狀的丙烯酸單體

100、100c有機el顯示裝置

200成膜裝置

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